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A3I25D080GNR1

A3I25D080GNR1

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17

库存:

A3G18D510-04SR3

A3G18D510-04SR3

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET GAN 48V NI780

库存:

BF999E6812HTSA1

BF999E6812HTSA1

Infineon Technologies
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET 10V SOT23

库存:

A3G26D055N-1805

A3G26D055N-1805

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

库存:

A3G26D055N-100

A3G26D055N-100

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

库存:

A3G26D055N-2400

A3G26D055N-2400

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF GAN AMPLIFIER 48V 6DFN

库存:

A3G26D055NT4

A3G26D055NT4

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

库存:

A3G26D055N-2110

A3G26D055N-2110

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

库存:

A3G26D055N-2515

A3G26D055N-2515

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

库存:

MRF24G300HS-2STG

MRF24G300HS-2STG

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET GAN 48V NI780

库存:

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